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Copper silicon phoshide CuSi2P3 crystals belong to the group I-IV2-V3 compounds wherein some of the common examples include CuGe2Ps and CuSi2P3.

Ternary copper indium selenide crystallizes in CuIn7Se11 stoichiometry to form perfect van der waals (vdW) layered sheets. They are indirect gap semiconductors with high light-matter interaction

產(chǎn)品介紹 本產(chǎn)品由高導(dǎo)電石墨烯與尼龍6聚合形成。常規(guī)規(guī)格20D3F，整卷導(dǎo)電性10的3次方，強(qiáng)度高，色澤黑色。 應(yīng)用領(lǐng)域 用導(dǎo)電纖維制成的具有抗靜電效果的工作服，適用于油田、石油加工、煤礦、電子工業(yè)、感光材料工業(yè)以及其他易燃易爆的場(chǎng)合，也適合于作為無(wú)塵無(wú)菌服或特種過(guò)濾材料等。

單壁碳納米管-標(biāo)準(zhǔn)版 TUBALL Carbon Nanotubes 碳含量（wt.%）：85 （評(píng)價(jià)方法：TGA, EDX） CNT（wt.%）：≥75（評(píng)價(jià)方法：TEM, TGA） 碳納米管的層數(shù)：1-2 （評(píng)價(jià)方法：TEM） 碳納米管的平均外徑（nm）： 1.8±0.4 （評(píng)價(jià)方法：拉曼光譜, TEM） CNT長(zhǎng)度（um）：5 （評(píng)價(jià)方法：AFM） 金屬雜質(zhì)（wt.%）：15 （評(píng)價(jià)方

單壁碳納米管-定制版（1kg） TUBALL Carbon Nanotubes 碳含量（wt.%）96 （評(píng)價(jià)方法：TGA） CNT（wt.%）：85 （評(píng)價(jià)方法：TEM, TGA） 碳納米管的層數(shù)：1 （評(píng)價(jià)方法：TEM） 碳納米管的平均外徑（nm）：1.8±0.4（評(píng)價(jià)方法：拉曼光譜, TEM） CNT長(zhǎng)度（um）：5 （評(píng)價(jià)方法：AFM） 金屬雜質(zhì)（wt.%）4 （評(píng)價(jià)方法：EDX,

二氧化鈦納米線(xiàn) TiO2 Nanowire （Titanium Dioxide Nanowire） TiO2NW-B 直徑（納米）：100 長(zhǎng)度（微米）：10-30 規(guī)格：1g SEM Image of TiO2NW-B TEM Image of TiO2NW-B